晶硅/钙钛矿PL/EL一体机

SC-PLEL-PS

产品简介

晶硅/钙钛矿PLEL一体机 SC-PLEL-PS

集成EL与PL双模式发光检测，覆盖晶硅/钙钛矿/叠层电池，从研发到量产全生命周期

全国首款双模一体机

晶硅/钙钛矿PLEL一体机 是南京势创自主研发的创新型检测设备，同时集成EL与PL双模发光成像能力，可针对同一区域开展同步对标分析，完整呈现各类缺陷的形态与分布。设备搭载高稳定半导体激光光源（主波长808±5nm，可多波段选配），配合高灵敏度NIR相机，实现≥0.1mm/pixel的高分辨率成像。

覆盖晶硅电池（PERC/TOPCon/HJT/xBC）、钙钛矿单节及叠层电池，支持原材料管控、工艺监控、成品分级及研发创新，为光伏技术迭代提供量化数据支撑。

势创智能晶硅/钙钛矿PL/EL一体机 SC-PLEL-PS 设备示意

1000×900×1600mm | 约200kg

应用领域

晶硅电池

晶硅电池 PERC/TOPCon/HJT/xBC

钙钛矿单节/柔性

晶硅-钙钛矿叠层

原材料质量管控

通过PL分析晶体结构、杂质分布，从源头排除缺陷，降低返工成本。

全流程工艺监控

捕捉工艺波动缺陷，量化数据支撑参数调整，保障质量稳定。

成品检测与分级

全面排查缺陷并评估性能，确保符合标准，规避下游风险。

研发创新支撑

为高效电池技术迭代、缺陷机理研究提供量化数据，加速产业化。

功能介绍

功能优势

双模成像·同步分析

EL锁定隐裂造成的电流阻断区，PL甄别晶界非辐射复合中心，完整呈现缺陷形态与分布。

自动化控制

智能控制气缸/电机，自动传送、位置校准及升降，强化检测效率与重复性。

多波长光源

808±5nm标配，可选450/915/980nm；光斑均匀性≥90%，功率0.1~2个sun可调。

高分辨率成像

NIR增强相机，最大帧率4.5FPS，成像精度≥0.1mm/pixel，捕捉细微缺陷。

参数定量分析

自研算法解析少子扩散长度、寿命(精度±0.1μs, τ≤10μs)，输出IVoc、Jo、τ、Rs Mapping。

高精度程控电源

恒流/恒压双模式，电压030V(±1%)，电流010A(±1%)，满足不同偏压需求。

**检测效率：**单块≤15秒，适配工业量产全流程质控，快速筛查不合格品，降低封装成本。

辅助功能 · 智能分析软件

· 图像处理：多种调节方式及格式保存
· 数据管理：全自动报表生成与追溯
· 精准观测：光标追踪与局域统计
· 智能分析：缺陷自动分类，MES对接
· 生成Mapping图谱：IVoc、Jo、τ、Rs等
· 从定性到定量：直观展示性能面分布
· Suns-Voc分析，复合情况研究

势创智能ELPL一体机成像图1

势创智能ELPL一体机成像图2

势创智能ELPL一体机Suns-Voc 曲线图

核心技术参数

参数名称	技术指标
型号	SC-PLEL-PS
相机规格	NIR增强型，2500万像素，曝光10μs~30s，响应400-1200nm
红外像素	500~2500万像素
镜头规格	高清广角 8/16/25mm可选，视场角≥80°
光源规格	半导体激光，主波长808±5nm (可选450/915/980nm)
光斑均匀性	≥90% (有效检测区域内)
检测周期	12μs~10000ms，步长1ms可调
检测波长范围	9001300nm(晶硅)、700900nm(钙钛矿)
可检缺陷类型	隐裂、断栅、碎片、划伤、虚焊、过刻、黑斑、同心圆、低效率片、杂质污染等
探针配置	2~6组排针，间距可调，镀金铜针
载物台尺寸	50×50mm ~ 230×230mm（可定制更大）
控制方式	自研上位软件全自动化控制
检测精度	裂纹宽度＞50μm
成像精度	≥0.1mm/pixel
对焦模式/距离	手动对焦 / 130-650mm
硬件支架	铝合金型、金属钣金
检测时间	0.1s~10s（依对象自动）
测试平台	Windows平台
恒流电流/电压	010A可调，精度±1% / 030V可调，精度±1%
功率	1000-2000W
电源保护	逆电流/过载/漏电/静电/过热保护
运算设备	工控计算机
检测对象	晶硅电池、钙钛矿单节、晶硅-钙钛矿叠层（裸片/带膜/封装）
环境温度	15-50℃，湿度30%-70%（无凝结）
设备重量	约200kg（以实物为准）
外形尺寸	1000×900×1600mm (L×W×H)
供电	单相AC220V±10%，50HZ±1HZ

应用案例 · 多材料成像对比

检测类型	检测对象	黑白成像	伪彩成像	成像分析
PL光致发光	晶硅电池	PL-image-01	PL-image-02	通过PL信号强度评估结晶质量与载流子寿命：亮区结晶完好，暗线/暗斑为隐裂、金属杂质等缺陷。
钙钛矿电池	PL-image-03	PL-image-04	分析薄膜均匀性与缺陷态密度，暗斑对应缺陷富集区或界面复合中心，判断组分偏析。
钙钛矿叠层-钙钛矿层	PL-image-05	PL-image-06	聚焦钙钛矿层本征特性与界面匹配，发光衰减异常提示界面态密度过高。
钙钛矿叠层-晶硅层	PL-image-07	PL-image-08	针对性检测晶硅层隐裂、杂质污染，量化载流子寿命，判断叠层影响。
EL电致发光	晶硅电池	EL-image-01	EL-image-02	识别电极接触异常、隐裂、断栅，辅助判断载流子输运。
钙钛矿电池	EL-image-03	EL-image-04	暗斑对应激光划线偏差、隐裂或坏点，灰度不均提示薄膜差异。
钙钛矿叠层-钙钛矿层	EL-image-05	EL-image-06	评估层间兼容性与电流匹配性，发光异常反映载流子注入/抽取障碍。
钙钛矿叠层-晶硅层	EL-image-07	EL-image-08	分析晶硅层电极接触与整体协同性，避免局部电流拥堵。