原硅片PL模组 SC-SPL
核心价值
在硅片制程的最前端工序——切片前或制绒前——即可识别内部缺陷，避免问题硅片进入后续昂贵的工艺。SC-SPL通过光激发PL原理，无需电接触，真正做到无损、零碎片风险的硅片质量把控。
核心特点
- 无探针接触：纯光学激发，碎片率趋零
- 内部缺陷可见：位错、应力滑移、杂质污染等体相缺陷
- 兼容硅片/硅块：从切方后的硅块到切片后的硅片全覆盖
- 高速检测：单片<=3秒，可嵌入产线全检
技术参数
| 参数 | 指标 |
|---|---|
| 型号 | SC-SPL |
| 激发光源 | 808nm/980nm 可选高功率LED |
| 成像传感器 | InGaAs 500万/1200万像素可选 |
| 检测对象 | 硅片（125-210mm）/硅块 |
| 检测周期 | 2-5秒/片 |
| 可检测缺陷 | 位错、应力滑移线、孪晶、杂质污染、工艺污染 |
| 工作模式 | 单点/扫描/全片成像 |
| 数据接口 | MES/GIS 对接 |
与EL检测对比
| 维度 | EL检测 | PL检测（SC-SPL） |
|---|---|---|
| 需要通电 | 是 | 否 |
| 碎片风险 | 中等 | 极低 |
| 可检缺陷 | 电学缺陷为主 | 材料缺陷为主 |
| 适用阶段 | 电池片及之后 | 硅片阶段最合适 |
应用场景
硅块切方后检测
拉晶长出的硅锭切成方形硅块后，使用SC-SPL检测内部位错、应力等缺陷，决定是否进入切片环节。
切片后品控
新切硅片出片即检，提前发现位错密集区，避免流入电池片产线。
研发分析
新配方硅料/工艺优化阶段，用PL图谱对比材料性能变化。
第三方检测
硅片贸易质量验证，快速出具独立第三方质检报告。
核心优势
- 无需电接触，碎片率趋零
- 可见EL看不到的材料缺陷
- 产线速度可达>=6000片/小时（多头并行）
- AI位错识别算法